XeF_2对SiO_2/Si的干法刻蚀  

SiO_2/Si dry etching with XeF_2

作　　者：尉伟[1] 吴晓伟[2] 吕凡[2] 肖云峰[2] 付绍军[1] 裴元吉[1] 韩正甫[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥230029 [2]中国科学技术大学中国科学院量子信息重点实验室,安徽合肥230027

出　　处：《中国科学技术大学学报》2009年第6期603-607,共5页JUSTC

基　　金：国家大科学工程(NSRL二期工程);国家自然科学基金(60537020;60121503);中国科学技术大学青年基金(KA2310000007)资助

摘　　要：XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2/Si结构,得到的刻蚀选择比大于1000.XeF2 can react with silicon in room temperature and be kind of isotropie dry etching. A XeF2 pulse etching system with used as silicon dry etching gas, it is a simple structure and easy operating has been constructed to perform SiO2/Si etching. With this system, the mushroom like SiO2/Si structure has been fabricated, and the etching selectivity between silicon and silica mask exceed 1 000.

关 键 词：XEF2 硅刻蚀 各向同性干法刻蚀 光学微腔 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]