云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- XEF2

XEF2: 作品数：10被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：易爱平刘晶儒于力张永生安晓霞更多>>; 相关机构：西北核技术研究所中国科学技术大学吉林大学中国科学院大学更多>>; 相关期刊：《激光技术》《强激光与粒子束》《真空》《中国科学技术大学学报》更多>>; 相关基金：国防科技工业技术基础科研项目国家高技术研究发展计划中国科学技术大学青年基金国家大科学工程更多>>

Effect of Refresh Time on XeF2 Gas-assisted FIB Milling of GaAs: 《Nanomanufacturing and Metrology》2023年第4期16-23,共8页Jining Sun Lei Zhang Yi Zhang Yunlong Han Lei Zhang; The authors gratefully acknowledge the startup funding support by the Dalian University of Technology(DUT)(Award No.82232022,82232043,and DUT22LAB404)。; Focused ion beam (FIB) machining can be used to fabricate gallium arsenide-based devices, which have a surface fnish of several nanometers, and the FIB machining speed and surface fnish can be greatly improved using x...; 关键词：Focused ion beam Gas-assisted etching Refresh time GAAS

An innovative way of etching MoS2： Characterization and mechanistic investigation被引量：3: 《Nano Research》2013年第3期200-207,共8页Yuan Huang Jing Wu Xiangfan Xu Yuda Ho Guangxin Ni Qiang Zou Gavin Kok Wai Koon Weijie Zhao A. H. Castro Neto Goki Eda Chengmin Shen Barbaros Ozyilmaz; We report a systematic study of the etching of MoSs crystals by using XeF2 as a gaseous reactant. By controlling the etching process, monolayer MoS2 with uniform morphology can be obtained. The Raman and photoluminesc...; 关键词：MOS2 ETCHING XEF2 graphene PHOTOLUMINESCENCE HEXAGONAL

XeF_2对SiO_2/Si的干法刻蚀被引量：2: 《中国科学技术大学学报》2009年第6期603-607,共5页尉伟吴晓伟吕凡肖云峰付绍军裴元吉韩正甫; 国家大科学工程(NSRL二期工程);国家自然科学基金(60537020;60121503);中国科学技术大学青年基金(KA2310000007)资助; XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2...; 关键词：XEF2 硅刻蚀各向同性干法刻蚀光学微腔

STS与XACTIX合推新型大批量生产XeF2蚀刻设备: 《电子工业专用设备》2008年第8期63-64,共2页; Surface Technology Systems公司与XACTIX公司推出新的基于二氟化氙（XeF2）气体的Chemical Vapor Etch（CVE）设备。XACTIX与STS合作开发的突破性工艺腔体设计和改进的晶圆传递机制可保证高吞吐量、均匀性、效率及运行时间，从而使XeF...; 关键词：大批量生产 XEF2 STS 设备蚀刻 SURFACE TECHNOLOGY Systems公司生产工艺

一种XeF_2对硅的脉冲自发刻蚀被引量：1: 《真空》2008年第4期93-95,共3页尉伟王勇吴晓伟范乐付绍军王建平; XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,利用该系统实现了高SiO2/Si、光刻胶/Si刻蚀选择比之硅刻蚀,并对刻蚀速率与刻蚀压强、刻蚀表面粗...; 关键词：XEF2 各向同性干法刻蚀自发硅刻蚀脉冲刻蚀

重频XeF(C-A)蓝绿激光器中XeF_2浓度的监测与控制被引量：1: 《强激光与粒子束》2006年第5期785-788,共4页黄超于力马莲英易爱平安晓霞李辉陈广宇刘晶儒; 国家863计划项目资助课题;国防科技基础研究基金资助课题(4130201201); 介绍了采用光谱吸收法实时监测重复频率XeF(C-A)蓝绿激光器中XeF2气体浓度的原理和控制XeF2气体浓度的方法;给出了监测窗中XeF2气体浓度与激光器气室中的XeF2气体浓度之间的关系,获得了在不同主/载气路气流量条件下激光器气室中XeF2气...; 关键词：浓度监控光谱吸收 XeF(C-A)蓝绿激光器 XEF2

XeF_2光解离波的空间传输对形成XeF(C—A)激光的影响被引量：1: 《激光杂志》2006年第1期78-79,共2页于力刘晶儒马连英易爱平黄超安晓霞; 国家863计划项目资助课题;国防科技基础研究基金资助课题; 利用XeF2光解离波图像，测量了现有激光实验条件下的解离波半径及传输速度，解离波厚度为5～8mm，传输速度随泵浦时间的增加而减慢，平均速度约13km／s。选择四种不同的腔轴位置，腔轴距泵浦源表面的距离d分别为10、13、16、20mm，激光...; 关键词：光解离波空间传输 XeF(C—A)激光 XEF2

XeF_2光解离波时空特性研究被引量：5: 《强激光与粒子束》2005年第2期177-180,共4页于力易爱平刘晶儒马连英张永生; 国家863计划项目资助课题;国防科技基础研究基金资助课题; 利用分幅相机拍摄了不同实验条件下的 XeF2 光解离波图像,反映了解离波的形成过程,获得了不同XeF2 初始浓度下光解离波半径、解离层厚度、发展速度随时间的变化曲线,分析了光解离波参数的时间、空间特性。结果表明,光解离波在目前实验...; 关键词：光解离光解离波 XEF2 初始XeF2浓度

XeF激光器中XeF_2气体的监测被引量：1: 《激光技术》2001年第6期469-472,共4页赖富相张永生; 给出了一种用吸收光谱法实时监测XeF激光器中XeF2 气体压强的方法 ,标定了XeF2气体在波长为 2 5 3.7nm处的吸收截面的大小σXeF22 53 .7=(1.5 5± 0 .0 5 )× 10 - 19cm2 。用该监测系统测量了XeF2 气体与 3种作为激光器气室材料的反应...; 关键词：XEF2 吸收截面准分子激光氟化氙激光器气体监测压强监测反应速度

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