ZnO薄膜的制备及p型掺杂研究进展  

RECENT PROGRESS ON PREPARATION AND P-TYPE DOPING OF ZnO FILMS

作　　者：刘长林[1] 汪建华[1,2] 熊礼威[1,2] 翁俊[1] 王文君[1] 李远[1] 陈冠虎[1] 

机构地区：[1]武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉430073 [2]中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥230031

出　　处：《真空与低温》2009年第2期63-69,共7页Vacuum and Cryogenics

基　　金：湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目(2004419)资助。

摘　　要：氧化锌是一种在声表面波传感器、压电器件以及太阳能电池等方面具有很好应用前景的材料。介绍了目前制备ZnO薄膜的主要方法,综述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对ZnO薄膜的研究进行了展望。Zinc oxide has favorable applications in surface acoustic wave sensor, piezoelectric device, solar cell and other fields. This paper presents the main preparations of ZnO films and review investigation situation of p-type doping ZnO films, also the work of ZnO films is prospected.

关 键 词：ZNO薄膜 制备方法 P型掺杂 

分 类 号：TB43[一般工业技术]