InSb(111)、(211)及(110)晶面腐蚀极性研究  

Effect of the polarity of InSb(111),(211) and (110) planes on etching

作　　者：马攀[1] 陈湘伟[1] 司俊杰[1] 

机构地区：[1]中国空空导弹研究院,河南洛阳471000

出　　处：《激光与红外》2009年第10期1078-1081,共4页Laser & Infrared

摘　　要：极性是InSb晶体结构的一种属性,文中研究了这种极性对InSb晶片湿法腐蚀的影响,并对这种极性产生的原因进行了分析。结果表明,对于工艺中常用的CP4腐蚀液,(111)及(211)晶面腐蚀时表现出极性,(111)A面平均腐蚀速率为2.2μm/s,(111)B面的平均腐蚀速率为3.6μm/s;(211)A面的平均腐蚀速率为3μm/s,(211)B面的平均腐蚀速率为4.8μm/s;而(110)晶面在腐蚀时未表现出极性效应,只存在一种腐蚀速率为4μm/s。InSb is a typical A^Ⅲ Bv semiconducting compound which contains a polar axis. In this paper, effect of the polarity of InSb on etching has been studied. The cause of the effect on etching has been analyzed. Experiment results indicate different etching rates for （ 111 ） and（211 ） planes with CP4 etchant. The etch rate for （ 111 ） A planes is 2. 2 μm/s and 3.6 μm/s for （ 111 ） B planes. The etch rate for （ 211 ） A planes is 3 μm/s and 4.8μm/s for （ 211 ） B planes. However,effect of the polarity on etching has not been shown for （110） planes. The etch rate of the （110） planes is 4 μm/s.

关 键 词：锑化铟 湿法腐蚀 极性 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]