与金属兼容的离子注入光刻胶去除剂  

作　　者：Glenn Westwood Ghi-Ming Jason Chang John B. Covington 

机构地区：[1]Mallinckrodt Baker Inc.

出　　处：《集成电路应用》2009年第11期I0001-I0004,29,共5页Application of IC

摘　　要：本文介绍了一种全湿法，高活性的光刻胶去除溶剂，可以去除注入硬化的光刻胶，并具备对金属的兼容能力。

关 键 词：兼容能力 光刻胶 离子注入 金属 去除剂 全湿法 高活性 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TP333.4[自动化与计算机技术—计算机系统结构]