宽禁带半导体电力电子器件研发新进展  

作　　者：陈治明[1] 

机构地区：[1]西安理工大学,陕西西安710048

出　　处：《电力电子技术》2009年第11期1-4,共4页Power Electronics

摘　　要：理论和十余年的研发实践都已证明,碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体比硅更适合用来制造电力电子器件。随着材料与器件工艺以及封装技术的逐渐完善,这些器件超乎寻常的高阻断电压、低通态比电阻和比热阻、低开关损耗、以及耐高温抗辐照等特点逐渐彰显于世，其开拓性的试用更在现代电力电子技术领域产生了不小的震撼，

关 键 词：电力电子器件 宽禁带半导体 研发 电力电子技术 低开关损耗 封装技术 器件工艺 阻断电压 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN304.23