工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究  

Effect of Process on Dark Current of MPP CCD

作　　者：雷仁方[1] 许宏[1] 曾武贤[1] 李仁豪[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2010年第1期93-95,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响，然后对CCD的工艺过程进行了优化，并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50％，典型值为20～30pA／cm2。Effects of the fabrication process on the dark current of MPP CCD（multi-pinned phase CCD） are evaluated by measuring the minority carrier lifetime of silicon material. Main factors affecting dark current are optimized and then the optimized process is applied to the fabrication of 1 024M 1 024 visible MPP CCD. The dark current density is reduced by 50%, with the typical value of 20～30 pA/cm2.

关 键 词：MPP CCD 工艺过程 暗电流密度 少子寿命 

分 类 号：TN386.5[电子电信—物理电子学]