曾武贤

作品数:6被引量:3H指数:1
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γ射线辐照对探测器的SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面和暗电流的影响
《集成电路应用》2022年第4期4-7,共4页曾武贤 钟玉杰 
分析表明,利用γ射线对SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅进行辐照,通过C-V曲线测试发现,经过γ射线辐照,C-V曲线向负方向漂移,C-V曲线整体抬高,平带电压向负方向漂移,界面态增大。辐照后CCD器件的暗电流变大,通过γ射线辐照对CCD的Si-SiO_(2)...
关键词:集成电路 Γ射线 Si-SiO_(2)界面 CCD 辐射损伤 
高响应905nm硅雪崩光电二极管设计
《电子技术(上海)》2021年第1期4-7,共4页曾武贤 钟玉杰 黄烈云 
阐述n+-p-π-p+外平面结构APD的工作原理和设计考虑,其感光面积为0.2~0.8mm。这些光电二极管被优化用于检测905nm辐射,并在该范围内实现了优异的参数-高增益、低噪声、高检测率。
关键词:硅雪崩光电二极管 n+-p-π-p+结构 响应度 
拉通型硅基APD保护环工艺研究被引量:2
《半导体光电》2017年第3期361-364,共4页李睿智 袁安波 曾武贤 
研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管(Si-APD)器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件...
关键词:拉通型Si-APD 保护环 离子注入技术 扩散技术 成品率 
长线阵CCD光敏区铝剥离技术
《半导体光电》2010年第6期858-860,863,共4页曾武贤 张振宇 廖乃镘 钟玉杰 袁安波 
介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影响。通过优化工艺参数,实现了长线阵CCD光敏区的铝剥离,剥离...
关键词:CCD 剥离 显影 均匀性 
CCD用透明栅电极的制作被引量:1
《半导体光电》2010年第5期732-735,共4页李华高 赵梁博 邓涛 曾武贤 向华兵 熊玲 
中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金项目
采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器...
关键词:ITO薄膜 透明栅电极 CCD 
工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究
《半导体光电》2010年第1期93-95,共3页雷仁方 许宏 曾武贤 李仁豪 
采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工...
关键词:MPP CCD 工艺过程 暗电流密度 少子寿命 
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