熊玲

作品数：4被引量：11H指数：2
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背照式CCD量子效率的工艺仿真研究
《半导体光电》2016年第6期784-787,791,共5页姜华男 陈捷 韩恒利 熊玲 
使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后...
关键词：背照式CCD 背面工艺 量子效率 工艺仿真 
硅片背面减薄技术研究被引量：8
《半导体光电》2015年第6期930-932,963,共4页江海波 熊玲 朱梦楠 邓刚 王小强 
硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表...
关键词：硅晶圆 背面减薄 损伤 抛光 湿法腐蚀 
CCD小尺寸接触孔金属化的工艺优化被引量：2
《半导体光电》2015年第5期750-752,共3页钟奇志 姜华男 伍明娟 熊玲 朱梦楠 
对铝金属化工艺中存在的台阶覆盖率低和铝穿刺问题进行了讨论和分析,在此基础上对CCD铝金属化工艺进行了优化。采用冷铝+热铝两步淀积的方法,提高了铝膜对小尺寸接触孔的台阶覆盖率;采用TiN作为阻挡层抑制了铝穿刺。
关键词：铝金属化 台阶覆盖率 铝穿刺 CCD 
CCD用透明栅电极的制作被引量：1
《半导体光电》2010年第5期732-735,共4页李华高 赵梁博 邓涛 曾武贤 向华兵 熊玲 
中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金项目
采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器...
关键词：ITO薄膜 透明栅电极 CCD 
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