姜华男

作品数：3被引量：3H指数：1
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背照式CCD量子效率的工艺仿真研究
《半导体光电》2016年第6期784-787,791,共5页姜华男 陈捷 韩恒利 熊玲 
使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后...
关键词：背照式CCD 背面工艺 量子效率 工艺仿真 
CCD新型遮光层工艺技术研究被引量：1
《半导体光电》2016年第5期694-697,共4页向鹏飞 姜华男 曲鹏程 杨修伟 
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料。研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响。通过优化...
关键词：氮化钛 遮光层 刻蚀 选择比 
CCD小尺寸接触孔金属化的工艺优化被引量：2
《半导体光电》2015年第5期750-752,共3页钟奇志 姜华男 伍明娟 熊玲 朱梦楠 
对铝金属化工艺中存在的台阶覆盖率低和铝穿刺问题进行了讨论和分析,在此基础上对CCD铝金属化工艺进行了优化。采用冷铝+热铝两步淀积的方法,提高了铝膜对小尺寸接触孔的台阶覆盖率;采用TiN作为阻挡层抑制了铝穿刺。
关键词：铝金属化 台阶覆盖率 铝穿刺 CCD 
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