曲鹏程

作品数:6被引量:7H指数:1
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供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
发文主题:CCD电荷耦合器件选择比刻蚀图像传感器更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊:《半导体光电》《电子技术(上海)》《电子科技》更多>>
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激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究
《半导体光电》2023年第2期241-244,共4页钟玉杰 雷仁方 林珑君 李睿智 张勇 曲鹏程 郭培 廖乃镘 
激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的...
关键词:激光退火 电荷耦合器件 图像传感器 背照 
四谱段TDICCD图像传感器的设计与制作
《半导体光电》2022年第3期547-551,共5页徐道润 刘业琦 袁安波 廖乃镘 曲鹏程 罗春林 张晓琴 
设计并研制了一种四谱段时间延迟积分电荷耦合器件(TDICCD)图像传感器,器件将四个TDICCD集成在同一芯片上,通过在光窗对应位置上镀不同的窄带滤光膜实现多谱段分光。该TDICCD图像传感器的像元尺寸为28μm×28μm,水平寄存器的有效像元数...
关键词:时间延迟积分 四谱段 电荷耦合器件 图像传感器 
近红外增强CCD成像器件研究被引量:1
《电子技术(上海)》2021年第11期1-4,共4页曲鹏程 陈清华 吴琼瑶 廖乃镘 岳志强 廖晓航 刘昌林 
国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109600)
阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应...
关键词:背照CCD 近红外增强 反应离子刻蚀 黑硅 
PCM测试参数与CCD工艺关系研究
《半导体光电》2020年第3期389-394,共6页岳志强 曲鹏程 杨修伟 向华兵 廖乃镘 
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件...
关键词:PCM 电荷耦合器件 LPCVD 干法刻蚀 埋沟注入 二次铝刻蚀 
氮化硅等离子体刻蚀工艺研究被引量:5
《电子科技》2017年第8期153-155,共3页曲鹏程 唐代飞 向鹏飞 袁安波 
针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题。为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择...
关键词:氮化硅 二氧化硅 等离子体刻蚀 选择比 
CCD新型遮光层工艺技术研究被引量:1
《半导体光电》2016年第5期694-697,共4页向鹏飞 姜华男 曲鹏程 杨修伟 
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料。研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响。通过优化...
关键词:氮化钛 遮光层 刻蚀 选择比 
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