廖晓航

作品数：4被引量：4H指数：1
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近红外增强CCD成像器件研究被引量：1
《电子技术（上海）》2021年第11期1-4,共4页曲鹏程 陈清华 吴琼瑶 廖乃镘 岳志强 廖晓航 刘昌林 
国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109600)
阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应...
关键词：背照CCD 近红外增强 反应离子刻蚀 黑硅 
热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响被引量：1
《电子科技》2014年第4期69-71,75,共4页汪凌 唐利 廖晓航 任利平 
针对CCD片上放大器的寿命进行了研究。通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命。研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制...
关键词：CCD 放大器 寿命 热载流子效应 
BCCD沟道电势直流测试方法研究
《半导体光电》2011年第4期489-491,共3页汪凌 韩恒利 任利平 廖晓航 柳益 苏玉棉 岳志强 
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道电势测试,确定BCCD随栅压变化的沟道电势曲线。实验结果表明,选取宽长比为11/5的NMOS管、源电流为0.01μ...
关键词：BCCD 沟道电势 测试 
MPP CCD扩散暗电流温度特性分析被引量：2
《半导体光电》2011年第1期15-17,23,共4页雷仁方 李仁豪 廖晓航 
研究了MPP CCD扩散暗电流的温度特性,分析了扩散暗电流在不同温度下对器件总暗电流的贡献和不同处理方式对评估器件高温暗电流的影响,并对此进行了实验验证。结果表明,扩散暗电流在高温下对器件总暗电流的影响很大,占据支配地位,是器件...
关键词：扩散暗电流 温度 MPP CCD 
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