硅片减薄技术研究  

The Study on Silicon Grinding Technology

作　　者：木瑞强[1] 刘军[1] 曹玉生[1] 

机构地区：[1]北京微电子技术研究所,北京100000

出　　处：《电子与封装》2010年第3期9-13,共5页Electronics & Packaging

摘　　要：集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,越来越多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能,降低功率器件的电阻。因此,硅片减薄的地位越来越重要。文章简要介绍了减薄的几种方法,并对两种不同研磨减薄技术的优缺点进行了对比。此外,从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所使用的保护膜等几方面进行了实验的验证,分析了不同参数对质量的影响效果。并根据减薄后的质量情况,使用统计方法,对减薄的过程进行了监控。As IC chips are fast developing toward higher density, higher performance and smaller size, to meet the demands of IC package, wafer thinning will play a more important role. In this paper, some methods about the thinning are introduced. The grinding parameters are discussed and the influence of tape on grinding quality is also described. Statistic is applied for grinding process.

关 键 词：硅片 背面减薄 研磨 

分 类 号：TN305.94[电子电信—物理电子学]