面向纳电子时代的非易失性存储器  

作　　者：Agostino Pirovano Roberto Bez 

机构地区：[1]恒忆(Numonyx)公司

出　　处：《电子设计技术 EDN CHINA》2010年第3期64-64,共1页EDN CHINA

摘　　要：目前，业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研，其中一类是基于无机材料的存储器技术，如铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）或相变存储器（PCM），另一类存储器技术则基于有机材料，铁电或导电开关聚合物。值得注意的是，在这些接替闪存的非易失性存储器当中，只有相变存储器具备进入广阔市场的能力表现，被视为下一个十年的主流存储器技术。

关 键 词：非易失性存储器 FERAM MRAM PCM 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]