硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管  

作　　者：胡炜玄[1] 成步文[1] 薛春来[1] 薛海韵[1] 苏少坚[1] 白安琪[1] 罗丽萍[1] 俞育德[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《激光与光电子学进展》2010年第3期14-14,共1页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：国家973计划(2007CB613404);国家863计划(2006AA03Z415);国家自炙科学基金(60676005)资助课题

摘　　要：目前，硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破，并且与现有的微电子工艺完全兼容：硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输；通过外延高质量的锗薄膜，实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器；调制速率高达30GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导。

关 键 词：发光二极管 硅基 电流注入 异质结 近红外波段 Si Ge 室温 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]