薛海韵

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：硅基CVD生长UHVSI衬底抽真空更多>>
发文领域：电子电信理学核科学技术更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
《激光与光电子学进展》2010年第3期14-14,共1页胡炜玄 成步文 薛春来 薛海韵 苏少坚 白安琪 罗丽萍 俞育德 王启明 
国家973计划(2007CB613404);国家863计划(2006AA03Z415);国家自炙科学基金(60676005)资助课题
目前，硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破，并且与现有的微电子工艺完全兼容：硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输；通过外延高质量的锗薄膜，实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光...
关键词：发光二极管 硅基 电流注入 异质结 近红外波段 Si Ge 室温 
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长被引量：3
《材料科学与工程学报》2009年第1期118-120,共3页成步文 薛春来 罗丽萍 韩根全 曾玉刚 薛海韵 王启明 
"973"基金资助项目(2007CB613404);国家自然科学基金资助项目(60676005);"863计划"基金资助项目(2006AA03Z415)
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si...
关键词：硅基 Ge 外延 
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