光加热金属有机物化学气相淀积生长氮化镓  

作　　者：周玉刚[1] 沈波[1] 陈志忠[1] 陈鹏[1] 张荣[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第2期147-154,共8页半导体学报（英文版）

基　　金：国家863高技术计划;国家攀登计划;国家自然科学基金

摘　　要：我们用光加热低压金属有机物化学气相淀积方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿结构ＧａＮ．生长温度约９５０℃，比普通射频加热的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长温度低１００℃．外延层（０００２）晶面Ｘ射线摇摆曲线半高宽（ＦＷＨＭ）为９．８′．光致发光谱（ＰＬ）有很强的带边发射，没有观察到“黄带”发射．范德堡法霍耳测量表明样品载流子浓度为１．７１×１０１８ｃｍ－３，霍耳迁移率为１２１．５ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．结果表明，光辐射有利于增加生长过程中ＮＨ３的分解，并有利于抑制寄生反应，从而降低生长温度，提高样品质量．

关 键 词：氮化镓 外延生长 MOCVD 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.054