Si衬底GaN基功率型LED制造技术开发  

出　　处：《中国科技成果》2010年第10期13-13,16,共2页China Science and Technology Achievements

基　　金：国家863计划课题（2006AA03A129）.

摘　　要：1课题目的 本课题以发展具有自主知识产权的Si衬底外延生长、芯片制造及功率型LED器件封装核心技术为目的。解决Si衬底GaN基LED外延生长、高效功率型GaN基LED芯片制造及封装技术。

关 键 词：GAN基LED 功率型LED SI衬底 芯片制造 技术开发 自主知识产权 外延生长 器件封装 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]