等离子体刻蚀工艺的优化研究  

作　　者：王晓光[1] 朱晓明 尹延昭[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片与微系统工程中心,黑龙江哈尔滨150001 [2]黑龙江工程大学,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《中国新技术新产品》2010年第14期22-22,共1页New Technology & New Products of China

摘　　要：本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺参数的研究,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线[1],优化了刻蚀硅的工艺条件。通过台阶仪的测量,实验结果表明优化工艺条件下的硅化物的刻蚀具有较高的刻蚀速率和较高的选择比。

关 键 词：等离子体 干法刻蚀 刻蚀速率 均匀性 

分 类 号：TN405.983[电子电信—微电子学与固体电子学]