Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响  

Mn and Cr co-doped impact to Curie temperature of GaAs

作　　者：关玉琴[1] 陈余[1] 赵春旺[1] 

机构地区：[1]内蒙古工业大学理学院,内蒙古呼和浩特010051

出　　处：《功能材料》2010年第A01期94-96,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10862002);内蒙古工业大学校基金资助项目(X200930)

摘　　要：定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响。This paper analyzes,when Mn and Cr co-doped,anti-ferromagnetic exchange interaction makes the Curie temperature of material decrease;in order to prepare high Curie temperature of the material requires higher doping concentration,preparation of high Curie temperature of the material more difficult;a high hole concentration can effectively suppress anti-ferromagnetic exchange interaction in the Curie temperature of the material.

关 键 词：稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 掺杂浓度 共掺杂 

分 类 号：O471.2[理学—半导体物理]