稀磁半导体材料

作品数：19被引量：28H指数：4
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：靳常青邓正赵春旺陈余关玉琴更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学北京大学浙江大学更多>>
相关期刊：《磁性材料及器件》《功能材料》《吉林化工学院学报》《科技信息》更多>>
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过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料的研究
《有色金属（冶炼部分）》2024年第3期I0001-I0001,共1页李明 
磁性半导体材料在电子学和磁性存储器等领域具有重要应用价值.过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料是一类备受关注的材料,其具有高居里温度、大磁矩和窄带隙等特性,主要应用在磁性存储器、磁性传感器和磁性逻辑器件等领域.过渡金属元素的...
关键词：过渡金属元素 过渡金属掺杂 材料性能 磁性传感器 高居里温度 光学性质 光电器件 磁性质 
过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料的研究进展
《微纳电子技术》2023年第12期1883-1891,共9页张晨 马勇 高湉 
上海市自然科学基金资助项目(16ZR1413600)。
对近年来稀磁半导体材料的应用前景及过渡金属掺杂CdO材料的室温铁磁性研究进展进行了简单阐述。重点对不同过渡金属掺杂剂及其浓度对CdO磁性能的影响进行了介绍,并从近几年国内外研究中未掺杂、过渡金属掺杂、过渡金属共掺杂以及不同...
关键词：自旋电子学 CDO 稀磁半导体 室温铁磁性 过渡金属 
稀土掺杂GaN基稀磁半导体材料的研究进展
《微纳电子技术》2019年第10期789-796,805,共9页梁李敏 李英 刘彩池 
河北省教育厅资助项目(GCC2014023);中国科学院半导体所开放基金资助项目(KLSMS-1407)
GaN基稀磁半导体材料具有高于室温的铁磁性和优异的光电性能,在半导体电子自旋器件领域有广阔的应用前景。系统地介绍了制备方法对稀土Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料铁磁性的影响,讨论了Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料中铁磁性的起源,介绍了除G...
关键词：GaN基稀磁半导体 稀土掺杂 自旋电子器件 铁磁性 磁性机理 
Fe掺杂对ZnS稀磁薄膜的磁特性影响被引量：1
《应用化工》2018年第11期2326-2328,2335,共4页何军锋 
国家自然科学基金(61301237)
制备了Fe掺杂Zn S稀磁薄膜(Fe掺杂量x=0. 000,0. 005,0. 010,0. 015),利用XRD、PL光谱以及磁性测试系统测量分析了Fe掺杂对Zn S薄膜的晶体结构、发光特性及磁特性的影响。结果表明,薄膜的饱和磁化强度随Fe掺杂量x增加而逐渐增大,Fe掺杂...
关键词：稀磁半导体材料 ZNS薄膜 FE掺杂 缺陷 磁特性 
“高压”创造的新传奇——记中国科学院物理研究所研究员靳常青
《中国科技奖励》2018年第2期80-81,共2页王慧 
提起中国科学院物理研究所研究员靳常青,熟悉他的人马上会联想到高压科学技术和磁电演生（Emergent）新材料研究,所谓磁电演生材料,指在材料电子结构层面,由于电荷、自旋、晶格的多体复杂作用,形成单体近似难以预测的新奇演生特性,包括...
关键词：超高压 铁基超导 稀磁半导体材料 亚洲高压 人造金刚石 掺杂机制 中国科学院物理研究所 
SiC基稀磁半导体材料的研究进展被引量：1
《磁性材料及器件》2017年第2期58-62,共5页王凯 谢泉 范梦慧 
国家自然科学基金资助项目(61264004);科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004);贵阳市科技计划项目(筑科合同[2012101]2-16);贵州省科技厅项目(黔科合LH字[2015]7218)
稀磁半导体材料(DMS)是一种新型的磁性半导体材料,它同时利用了电子的电荷和自旋属性,兼有铁磁性能和半导体性能,在自旋电子器件领域有着重要的研究价值。主要介绍了DMS的发展过程,总结了最近几年SiC基稀磁半导体材料的研究进展,包括制...
关键词：SiC基稀磁半导体 自旋电子器件 居里温度 铁磁性 
稀磁半导体材料的研究进展概述
《黑龙江科技信息》2016年第32期40-40,共1页李银成 
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员...
关键词：稀磁半导体 磁性 进展 
高能球磨法制备纳米ZnO掺Fe稀磁半导体材料
《吉林化工学院学报》2014年第3期81-84,共4页魏白光 刘力 吕秋月 
稀磁半导体合金制备的基本思想主要是利用磁性离子部分地取代原来半导体中的阳离子.本论文利用高能球磨方法制备铁掺杂氧化锌,是通过高能球磨方法,球磨ZnO粉末,利用钢球及钢罐在球磨时撞击下的铁屑进行掺杂.XRD结果表明,随球磨时间的增...
关键词：ZNO 稀磁半导体 高能球磨 掺杂 室温铁磁性 
反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响被引量：1
《功能材料》2010年第A02期250-252,共3页关玉琴 陈余 赵春旺 
国家自然科学基金资助项目(10862002);内蒙古工业大学校基金资助项目(X200930)
居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁...
关键词：稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 p、n型掺杂 掺杂浓度 
P型稀磁半导体材料的居里温度被引量：2
《粉末冶金材料科学与工程》2010年第5期521-524,共4页关玉琴 陈余 赵春旺 
国家自然科学基金资助项目(10862002);内蒙古工业大学校基金(X200930)
稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂...
关键词：稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用 
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