EUV掩膜版的等离子刻蚀法  

出　　处：《电子工业专用设备》2010年第10期56-56,60,共2页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着。无论如何,目前的光刻技术将在未来的几年之内达到极限,下一代使用更短波长的光刻技术即将进入人们的视线。

关 键 词：刻蚀法 等离子 掩膜版 EUV 理论极限 光刻技术 制造技术 集成电路 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]