TFT工艺中的反应性离子刻蚀  

Reactive Ion Etching in TFT

作　　者：柳江虹 袁剑峰[1,2] 杨柏梁[1,2] 梁庆成[1,2] 马凯 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所 [2]北方液晶工程研究开发中心

出　　处：《液晶与显示》1999年第1期29-33,共5页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：中国科学院"九五"重大项目

摘　　要：对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。The reactive ion etching (RIE) in TFT was studied in this paper The etching-ratio of several films often used in TFT was provided, and the influence of other gases (such as Ar, H 2) to etching-ratio was discussed

关 键 词：反应性 离子刻蚀 选择比 FTF器件 薄膜半导体 

分 类 号：TN405.982[电子电信—微电子学与固体电子学]