袁剑峰

作品数：1被引量：1H指数：1
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TFT工艺中的反应性离子刻蚀被引量：1
《液晶与显示》1999年第1期29-33,共5页柳江虹 袁剑峰 杨柏梁 梁庆成 马凯 
中国科学院"九五"重大项目
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。
关键词：反应性 离子刻蚀 选择比 FTF器件 薄膜半导体 
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