一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件  

A new 650V super junction device with rugged body diode for hard and soft switching applications

作　　者：G.Aloise M.-A.Kutschak D.Zipprick H.Kapels A.Ludsteck-Pechloff 查祎英[3] 高一星[3] 胡冬青[3] 

机构地区：[1]Infineon,Technologies Austria AG [2]Infineon,Technologies AG [3]北京工业大学电控学院

出　　处：《电力电子》2010年第5期45-47,44,共4页Power Electronics

摘　　要：新型CoolMOS^(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Q_(rr)和t_(rr)的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这种具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

关 键 词：体二极管 器件综合 应用 硬开关 功率MOSFET CFD技术 阻断电压 恢复过程 

分 类 号：TM46[电气工程—电器]