宽禁带半导体功率器件  

Wide Bandgap Semiconductor Power Devices

作　　者：刘海涛[1] 陈启秀[1] 

机构地区：[1]浙江大学信电系功率器件研究所

出　　处：《半导体技术》1999年第2期1-4,8,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。The paper presents the main characteristics of wide bandgap semiconductors,and elaborates the latest development of SiC and diamond power devices.At the same time,the future development of SiC and diamond power devices is forcasted.

关 键 词：宽禁带 半导体功率器件 功率器件 碳化硅 金刚石 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学] TN304.24