集电结电容C_(BC)对HBT功率放大器非线性的影响  

The Effects of C_(BC) on the Nonlinearity of the HBT Power Amplifier

作　　者：丁杰[1] 胡善文[2] 张晓东[3,4] 高怀[2] 

机构地区：[1]东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 [2]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏南京210096 [3]苏州工业园区教育投资发展有限公司 [4]苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州215123

出　　处：《电子科技》2011年第1期115-117,120,共4页Electronic Science and Technology

摘　　要：GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容CBC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBTCBC随电路偏置变化的规律,给出了CBC随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软件进行了仿真验证。理论分析及仿真结果表明:CBC随输入信号功率的增大而增大,是功率放大器产生幅度和相位失真的主要原因,最后通过电路设计及测试验证了理论分析及仿真的正确性。GaAs HBT is one of the main technologies for designing monolithic microwave power amplifiers （PAs）. The capacitor between the base terminal and collector terminal CBC is the dominant nonlinear element in HBT PAs. This paper analyzes the law of variation of HBT Csc with circuit bias using the Gummel-Poon transistor model, and presents the tendency of CBC to vary with input power. Simulation results based on AWR Microwave Office show that the main reason for the PAs＇ amplitude and phase distortion is that CBC increases with the rise of the input signal power. Circuit design and testing verify the correctness of the theoretical analysis and simulation.

关 键 词：集电结电容 异质结双极晶体管 功率放大器 非线性 

分 类 号：TN431[电子电信—微电子学与固体电子学]