快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模  

FastSim ulated Annealing Algorithm Applied to Modeling of MESFET Large Signal

作　　者：王卓鹏[1] 杨卫平[1] 高国成[2] 

机构地区：[1]山东矿业学院电气工程系,济南250031 [2]山东矿业学院基础课部,济南250031

出　　处：《系统工程与电子技术》1999年第11期56-57,75,共3页Systems Engineering and Electronics

基　　金：山东省自然科学基金

摘　　要：对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。In thispaper som e key param eters offastsim ulated annealing algorithm are determ ined.The FSA al gorithm is applied to large signalm odeling ofm icrowave sem iconductordevice,resolving m ulti variableand non linear optim ization difficult problem .The experim entalresult shows that the m ethod is effective by an exam ple.Thus we provide a new m ethod for resolving large signalm odeling ofMESFET.

关 键 词：微波半导体器件 模拟退火算法 信号建模 MESFET 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学] O242.1[理学—计算数学]