微波半导体器件

作品数：35被引量：17H指数：2
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瑞萨电子将退出微波半导体器件业务
《现代制造》2016年第34期19-19,共1页
2016年8月2日，半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布将退出微波半导体器件业务，未来将集中资源，重点发展化合物产品领域的光电子器件业务。
关键词：微波半导体器件 光电子器件 业务 株式会社 供应商 化合物 
瑞萨电子将退出微波半导体器件业务
《中国电子商情》2016年第8期38-38,共1页
瑞萨电子株式会社宣布将退出微波半导体器件业务，未来将集中资源，重点发展化合物产品领域的光电子器件业务，如光电耦合器、激光二极管和光电二极管等。
关键词：光电子器件 半导体器件 业务 微波 激光二极管 株式会社 化合物 耦合器 
微波高功率无源收发转换系统研究
《现代雷达》2010年第12期79-82,共4页钟少伟 
微波高功率无源收发转换系统,集微波半导体器件应用技术、电路综合设计技术于一体,在本机发射脉冲期间对进入收发转换系统的功率实现闭环吸收,在接受回波期间呈现低耗通道,对弱小信号实现有效传输。微波高功率无源收发转换系统工作方式...
关键词：微波半导体器件 高功率 大动态范围 无源收发转换 抗异步电磁波干扰 
微波元件的发展与现状被引量：1
《今日电子》2008年第5期39-41,共3页马楠 
战争对军用微波雷达的需求，催生了微波元件。随着微波技术不断的进步，微波元件及相关介质材料的市场规模正急剧上升。微波元件已广泛用于微波通信系统、遥测系统、雷达、导航、生物医学、电子对抗、人造卫星、宇宙飞船等各个领域。随...
关键词：微波元件 微波半导体器件 微波通信系统 微波雷达 微波技术 市场规模 介质材料 遥测系统 
GaN基微波半导体器件研究进展被引量：4
《西安电子科技大学学报》2004年第3期367-372,421,共7页杨燕 郝跃 张进城 李培咸 
国家重大基础研究(973)项目;国家部委预研资助项目(41308060106)
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体...
关键词：GAN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管 
序
《真空电子技术》2003年第6期I001-I001,共1页陈效建 
利用光来进行通信并不是一个新概念,我国古代的烽火台就是大气光通信的最好例子,开创了光通信的先河.后来的手旗、灯光甚至交通红绿灯等也可广义地划入光通信的范畴,但可惜它们所能传递的距离和信息量都是十分有限的.
关键词：微波半导体器件 微波应用 领域 MMCM MMIC 微波模块 
微波半导体器件及电路的应用概况(续二)
《电子元器件应用》2000年第12期1-2,26,共3页莫火石 盛柏桢 
4.4 宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。
关键词：微波器件 半导体器件 半导体电路 
微波半导体器件及电路的应用概况(续一)
《电子元器件应用》2000年第11期6-12,共7页莫火石 盛柏桢 
4.2 异质结双极晶体管(HBT) 异质结双极晶体管的结构特点是具有宽带隙的发射区,大大提高了发射结的载流子注入效率。HBT的功率密度高,相位噪声低,线性度好,单电源工作,虽然高频工作性能稍逊于PHEMT。
关键词：半导体器件 微波器件 异质结双极晶体管 
半导体与微电子技术
《电子科技文摘》2000年第11期21-21,共1页
Y2000-62007-164 0018084双极结型二极管:一种新功率二极管概念=The bipo-lar junction diode(BJD):a new power diode concept[会,英]/You,B.D.& Huang,A.Q.//Ⅵ IEEE In-temational Power Electronics Congress.—164～169(PC)Y2000-6...
关键词：局部寿命控制 结型二极管 数值分析 功率二极管 微电子技术 会议录 光电子学 微波器件 电子器件 微波半导体器件 
微波半导体器件及电路的应用概况
《电子元器件应用》2000年第10期1-5,17,共6页莫火石 盛柏桢 
本文比较详细地介绍微波半导体技术的主要特点、器件和电路的特性、应用领域和实例。
关键词：微波器件 微波集成电路 半导体器件 
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