调制掺杂场效应晶体管

作品数：7被引量：5H指数：1
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GaN基微波半导体器件研究进展被引量：4
《西安电子科技大学学报》2004年第3期367-372,421,共7页杨燕 郝跃 张进城 李培咸 
国家重大基础研究(973)项目;国家部委预研资助项目(41308060106)
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体...
关键词：GAN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管 
深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应
《中国科学（E辑）》2003年第6期568-576,共9页郭宝增 Umberto Ravaioli 
国家留学基金(批准号:98813054)
用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0.4μm。在模拟得到的I_(DS)-V_(DS)输出特性曲线中,发现了微分负阻效应,即V_(GS)为固定值时,当V_(DS)逐...
关键词：调制掺杂场效应晶体管 深亚微米纤锌矿相 ALGAN/GAN MODFET 输出特性 微分负阻效应 直流特性 MonteCarlo方法 
真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
《电子科技文摘》2001年第2期29-29,共1页
0102096基于人工神经网络方法的 LSI 工艺优化实践[刊]/石林初//微电子技术.—2000,28（5）.—39～44（E）0102097行波管夹持杆微波等离子体化学气相沉积金刚石厚膜改善散热性能研究[刊]/谢扩军//电子学报.—2000,28（9）.—85～87,77（...
关键词：微波等离子体化学气相沉积 真空蒸发 人工神经网络方法 金属化工艺 工艺优化实践 行波管夹持杆 调制掺杂场效应晶体管 金刚石厚膜 微电子技术 性能研究 
大跨导n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管
《半导体情报》1993年第2期55-57,共3页K.Ismail 赵旭霞 
报道了第一支0.25μm栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果。器件用于超高真空/化学汽相淀积(UHV/CVD)制作的器件,在300K(77K)下,应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500(9500)cm^2/V·s和2.5×10^(12)(1.5...
关键词：场效应晶体管 调制掺杂 
InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管研究
《半导体情报》1992年第3期22-34,共13页敖金平 曾庆明 
从理论上和实验上对InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)进行了研究。建立了简单的一维电荷控制模型,并进行二维数值模拟,得到了不同偏压下器件内部电势分布和电子浓度分布。在上述理论的指导下,设计了我们所需要的器件纵向和横...
关键词：调制掺杂 场效应 晶体管 INALAS 
调制掺杂场效应晶体管的直流特性
《电子科技大学学报》1990年第2期208-212,共5页朱旗 
对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。
关键词：场效应 晶体管 调制 掺杂 直流特性 
应变层InGaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管被引量：1
《半导体情报》1989年第5期6-12,共7页邓生贵 张晓玲 
应变层InCaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管是利用在InGaAs,AlGaAs界面处存左高电子迁移率的二维电子气的原理制成的新式场效应器件。本文论述了调制掺杂扬效应晶体管的工作原理和基本结构,对比了AlGaAs/CaAs、InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaA...
关键词：场效应晶体管 掺杂 调制式 
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