云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MODFET

MODFET: 作品数：10被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郭宝增朱旗张矩杨伟锋陈宗圭更多>>; 相关机构：安徽衡孚电子科技有限公司河北大学电子科技大学北京工业学院更多>>; 相关期刊：《现代雷达》《电光系统》《微电子技术》《电子科技大学学报》更多>>; 相关基金：国家留学基金更多>>

Characterization of electrical properties of AlGaN/GaN interface using coupled Schrodinger and Poisson equation: 《Journal of Semiconductors》2012年第11期16-23,共8页S.Das A.K.Panda G.N.Dash; The electrical characterization of AlGaN/GaN interface is reported.The dependence of two-dimensional electron gas（2-DEG） density at the interface on the Al mole fraction and thickness of AIGaN layer as well as on th...; 关键词：MODFET 2-DEG polarization critical thickness self-heating

NRC的分子束外延MODFET: 《半导体信息》2003年第5期25-25,共1页陈裕权; 加拿大国家研究院(NRC)的"分子束外延(MBE)生长半绝缘掺C GaN"获得美国专利(专利号6544867)。该专利描述了通过掺杂C并用胺分子束外延生长半绝缘GaN外延层的方法。基于这种AlGaN/GaN异质结构的MODFET演示表明极有望获得高频、高功率和...; 关键词：分子束外延 MODFET NRC 半绝缘 ALGAN 外延层异质结构加拿大国家高温性能美国专利

深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应: 《中国科学（E辑）》2003年第6期568-576,共9页郭宝增 Umberto Ravaioli; 国家留学基金(批准号:98813054); 用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0.4μm。在模拟得到的I_(DS)-V_(DS)输出特性曲线中,发现了微分负阻效应,即V_(GS)为固定值时,当V_(DS)逐...; 关键词：调制掺杂场效应晶体管深亚微米纤锌矿相 ALGAN/GAN MODFET 输出特性微分负阻效应直流特性 MonteCarlo方法

一种f_T为70GHz的低偏压自校准P型SiGe MODFET: 《微电子技术》1998年第3期53-54,共2页张晓雪; 关键词：MODFET 自校准欧姆接触低偏压最大振荡频率 P型截止频率栅电阻加工方法本征跨导

高跨导常断GaN MODFET: 《半导体情报》1996年第5期44-45,共2页A.Qzgur 付士萍; 成功地制作出了常断 GaN 基 MODFET(调制掺杂 FET)。该器件的栅长和沟道长度分别为3和5μm,其非本征跨导高达120mS/mm,在正栅偏压为3V时其电流为300mA/mm。该跨导值与先前报道的栅长分别为1和0.23μm、跨导分别为45和24mS/mm 的器件相比...; 关键词：氮化镓 MODFET 跨导常断

E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制: 《电子科技大学学报》1990年第1期103-106,共4页朱旗冯国进; 本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET...; 关键词：MODFET 倒相器 E/D型砷化镓耦合

亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造: 《Journal of Semiconductors》1989年第3期192-197,共6页杨玉芬陈宗圭张矩; 本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10^(15)cm^(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温...; 关键词：MOSFET 掺杂亚微米栅长调制

E/D型集成电路中MODFET模型: 《固体电子学研究与进展》1987年第1期32-42,共11页赵冷柱; 本文给出了一个E/D型结构集成电路中增强型和耗尽型调制掺杂Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(MODFET)模型,并系统地分析了它们的材料选取和结构参数。便于相容性工艺制造,增强型晶体管用三层结构;耗尽型晶体管用四层...; 关键词：MODFET 二维特性曲线赫德曲线 E/D GAAS 电子气

HEMT:一种超高速晶体管: 《现代雷达》1985年第1期90-91,共2页戴季江; 目前美、日、德、法等国有许多研究机构、大学、公司正从事开发一种超高速晶体管,其开关速度略大于10微微秒。它不仅有数字开关的功能,而且也能作模拟放大器,频率可高达60千兆赫。这种晶体管有多种名称,例如高电子迁移率晶体管(HEMT/Hig...; 关键词：MODFET 微微秒晶体管半导体三极管 HEMT

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