深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应  

作　　者：郭宝增[1] Umberto Ravaioli 

机构地区：[1]河北大学电子信息工程学院 [2]Beckman Institute,University of Illinois at Urbana-Champaign,405 North Mathews Urbana,IL 61801,USA

出　　处：《中国科学（E辑）》2003年第6期568-576,共9页Science in China(Series E)

基　　金：国家留学基金(批准号:98813054)

摘　　要：用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0.4μm。在模拟得到的I_(DS)-V_(DS)输出特性曲线中,发现了微分负阻效应,即V_(GS)为固定值时,当V_(DS)逐渐增加,并达到某一阈值时,I_(DS)会随着V_(DS)的增大而减小。对GaN体材料的速度-电场特性和对器件的二维电子气沟道内的电场和速度分布的分析表明,沟道内电子平均漂移速度的负阻效应导致了输出特性的微分负阻效应,二维电子气沟道内的瞬态输运对微分负阻特性也有一定影响。这种效应只有在超短沟道MODFET中才能发生。

关 键 词：调制掺杂场效应晶体管 深亚微米纤锌矿相 ALGAN/GAN MODFET 输出特性 微分负阻效应 直流特性 MonteCarlo方法 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]