SiN_xO_y薄膜的制备和紫外光、蓝光发射  

Blue Light Emission and Ultraviolet Light Emission From Silicon Oxynitride film Prepared by PECVD

作　　者：梁厚蕴[1] 林揆训[1] 刘兴胜[2] 石旺舟[1] 林璇英[2] 

机构地区：[1]汕头大学科学院材料所,广东汕头515063 [2]汕头大学理学院,广东汕头515063

出　　处：《功能材料》1999年第5期553-554,共2页Journal of Functional Materials

摘　　要：研究了用等离子体增强化学气相沉积方法（PECV），经过后处理制备出SINxOy薄膜，测量了其光致发光（PL谱）特性，观测到强度大约为多孔硅蓝光发射10倍的蓝光（440nm）和紫外光（360nm）的发射。此外，测量了其X射线衍射谱，对其成分和结构做了一定的分析和研究。Silicon oxynitride films are prepared by plasma enchanced chemical vapor deposition (PECVD) mothod. The reactant is de-posited on the crystal silicon wafers and quartz. Annealing at temperature 600℃, 700℃, 800℃, 900℃ for half an hour, oxidation at temper-ature 600℃, 700℃, 800℃, 900℃, 1000℃ for twenty minutes, strong blue light (440nm) and ultraviolet light (360nm) emission from silicon oxynitride film at room temperature have been observed. The PL mechanism is analyzed and discussed.

关 键 词：PECVD 氮氧化硅薄膜 制备 光致发光 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] O484.41[理学—固体物理]