梁厚蕴

作品数：7被引量：25H指数：2
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供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
发文主题：非晶硅薄膜多晶硅薄膜快速热退火铝诱导晶化蓝光发射更多>>
发文领域：理学电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《光学学报》《功能材料》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析被引量：21
《物理学报》2002年第4期863-866,共4页林揆训 林璇英 梁厚蕴 池凌飞 余楚迎 黄创君 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)~~
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶...
关键词：固相晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 低温快速晶化 结构分析 
在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速晶化研究被引量：1
《汕头大学学报（自然科学版）》2001年第1期35-38,共4页梁厚蕴 林揆训 梁淑霞 周甫方 
在镀铝 (0 .5～ 4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积 1～ 4μm厚的α- Si薄膜 (基底沉积温度为 30 0℃ ,沉积速率为 1 .0μm/h) ,然后样品在共熔温度下、 N2 气保护中热退火 ,可使其快速晶化成多晶硅薄膜 .结果表明 :...
关键词：快速热退火 铝诱导晶化 太阳能电池 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 晶化温度 退火温度 
低温等离子体氧化α-Si∶H薄膜的蓝光发射
《光学学报》2001年第6期676-678,共3页石旺舟 梁厚蕴 欧阳艳东 
苏州大学薄膜实验室开放基金;广东省科技攻关基金!(ZKB0 0 80 5G)资助课题
通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α Si∶H薄膜的荧光特性 ,在 45 0nm～ 5 0 0nm范围内常温下观察到强蓝光发射 ,发光强度随沉积氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构 ,位置分别为 46 0nm、46 5nm、472nm、478nm、485nm、490n...
关键词：薄膜 等离子体氧化 蓝光发射 
α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射
《Journal of Semiconductors》2000年第11期1103-1106,共4页石旺舟 梁厚蕴 
苏州大学薄膜实验室开放基金;广东省基金资助课题&&
采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依...
关键词：α-SiOxNy 光发射 分离能顷 薄膜 
纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的发光特性被引量：3
《功能材料》2000年第3期276-277,共2页石旺舟 梁厚蕴 
广东省自然科学基金;苏州大学薄膜材料开放实验室基金
采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs -SiO2 镶嵌复合薄膜。通过X射线衍射、透射电镜观察和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。结果表明 ,薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2...
关键词：纳米GaAs-SiO2薄膜 镶嵌复合 发光特性 
SiN_xO_y薄膜的制备和紫外光、蓝光发射
《功能材料》1999年第5期553-554,共2页梁厚蕴 林揆训 刘兴胜 石旺舟 林璇英 
研究了用等离子体增强化学气相沉积方法（PECV），经过后处理制备出SINxOy薄膜，测量了其光致发光（PL谱）特性，观测到强度大约为多孔硅蓝光发射10倍的蓝光（440nm）和紫外光（360nm）的发射。此外，测量了其X射线衍射谱，对其成分和...
关键词：PECVD 氮氧化硅薄膜 制备 光致发光 
可见光区三层减反射膜的设计
《汕头大学学报（自然科学版）》1997年第1期75-78,88,共5页梁厚蕴 杜军 夏志华 
本文通过对可见光区减反射薄膜材料的选择和设计，采用计算机模拟，找出了在３５０～７５０ｎｍ范围内具有最好光谱中性的减反射膜系ＳｉＯ２ＴｉＯ２ＳｉＯ２玻璃基底。
关键词：减反射薄膜 可见光区 计算机模拟 设计 薄膜 
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