梁淑霞

作品数：1被引量：1H指数：1
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发文主题：非晶硅薄膜快速热退火多晶硅薄膜晶化温度铝诱导晶化更多>>
发文领域：理学电气工程更多>>
发文期刊：《汕头大学学报（自然科学版）》更多>>
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在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速晶化研究被引量：1
《汕头大学学报（自然科学版）》2001年第1期35-38,共4页梁厚蕴 林揆训 梁淑霞 周甫方 
在镀铝 (0 .5～ 4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积 1～ 4μm厚的α- Si薄膜 (基底沉积温度为 30 0℃ ,沉积速率为 1 .0μm/h) ,然后样品在共熔温度下、 N2 气保护中热退火 ,可使其快速晶化成多晶硅薄膜 .结果表明 :...
关键词：快速热退火 铝诱导晶化 太阳能电池 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 晶化温度 退火温度 
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