Gate leakage current of a double gate n-MOS on （111） silicon-a quantum mechanical study  

作　　者：Sabbir AHMED Ahsan ul ALAM md. Kawsar ALAM Quazi Deen Mohd KHOSRU 

机构地区：[1]Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka-1000, Bangladesh

出　　处：《材料科学与工程（中英文版）》2008年第10期1-5,共5页Journal of Materials Science and Engineering

关 键 词：量子力学效应 MOS结构 硅表面 漏电流 POISSON方程 双门 晶体取向 机身厚度 

分 类 号：O241.82[理学—计算数学] TN201[理学—数学]