多漂移区薄膜SOI RESURF结构及其解析物理模型  

Multiple Drift Region TF SOIRESURF Structure and its Analytical Physical Model

作　　者：李文宏[1] 罗晋生[1] 

机构地区：[1]西安交通大学,西安710049

出　　处：《电力电子技术》1999年第4期56-58,共3页Power Electronics

摘　　要：提出了一种新的薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ（ 降低表面电场） 结构，称为多漂移区薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ 结构。以双漂移区薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ 结构为例给出了基于二维 Ｐｏｉｓｓｏｎ 方程的解析物理模型。利用这一模型分析了电势和电场分布，以及场 Ｓｉ Ｏ２ 界面电荷密度的影响，计算结果与 Ｍ Ｅ Ｄ Ｉ Ｃ Ｉ模拟结果相符。Anovelthin film S O I R E S U R Fstructure is developed ,which is called multiple drift region thin film S O I R E S U R Fstructure,and an analytical physical model based on 2 D Poisson equation is proposed for two drift region thin film S O I R E S U R Fstructure. The distributions ofthe electric field and potential and the influence ofthe field Si O2 inter face charge density are analyzed by using the model. The analyticalresults correspond to thesimulations of M E D I C Iwell.

关 键 词：RESURF结构 SOI 半导体功率器件 解析物理模型 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]