RESURF结构

作品数：8被引量：19H指数：2
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阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究被引量：2
《微电子学》2006年第2期125-128,共4页毛平 陈培毅 
国家自然科学基金资助项目(10075029)
研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善...
关键词：SOI RESURF结构 阶梯变掺杂 耐压机理 
埋空隙PSOI结构的耐压分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1818-1822,共5页段宝兴 张波 李肇基 罗小蓉 
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击...
关键词：RESURF结构 APSOI 自热效应 表面电场 击穿电压 
阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析被引量：12
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1396-1400,共5页段宝兴 张波 李肇基 
提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表...
关键词：SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI 电场调制 比导通电阻 
有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型被引量：1
《微电子学》2004年第2期207-210,214,共5页方健 李肇基 张波 
国家"十五"预先研究资助项目(41308020405);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439020103DZ0201)
　提出了有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOIRESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。
关键词：SOI RESURF 电场分布 解析模型 缓冲层 分段变掺杂 智能功率集成电路 
电气和电子工程用材料科学
《中国无线电电子学文摘》2000年第2期3-6,共4页
关键词：类金刚石薄膜 电子工程 电阻率 半导体薄膜 中国科学院 Ni薄膜 RESURF结构 介电性能 多层膜 材料科学 
薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第2期161-168,共8页李文宏 罗晋生 
提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ 方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵ...
关键词：SOI RESURF结构 击穿电压 薄膜 
多漂移区薄膜SOI RESURF结构及其解析物理模型被引量：1
《电力电子技术》1999年第4期56-58,共3页李文宏 罗晋生 
提出了一种新的薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ（ 降低表面电场） 结构，称为多漂移区薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ 结构。以双漂移区薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ 结构为例给出了基于二维 Ｐｏｉｓｓｏｎ 方程的解析物理模...
关键词：RESURF结构 SOI 半导体功率器件 解析物理模型 
HVIC中的高压器件——RESURF结构LDMOSFET
《浙江大学学报（自然科学版）》1993年第1期26-34,共9页徐家权 郎金荣 叶润涛 朱大中 
浙江省科委自然科学基金
RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,...
关键词：高压器件 高压IC 功率IC HVIC 
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