毛平

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：SOIRESURF结构耐压漂移区更多>>
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阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究被引量：2
《微电子学》2006年第2期125-128,共4页毛平 陈培毅 
国家自然科学基金资助项目(10075029)
研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善...
关键词：SOI RESURF结构 阶梯变掺杂 耐压机理 
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