WC和Si衬底生长金刚石薄膜的研究  

作　　者：邵淑敏[1] 彭华军[1] 

机构地区：[1]开南大学电子科学系

出　　处：《真空科学与技术》1999年第A10期65-71,共7页Vacuum Science and Technology

摘　　要：采用ＳＥＭ，Ｒａｍａｎ光谱等手段，较全面系统地研究了ＨＦＣＶＤ法在ＷＣ和Ｓｉ衬底上生长金刚石薄膜时，衬底预处理、碳源深度、热丝及衬底温度等对金刚石形核、生长的影响。并对两种衬底进行了对比与分析，最后总结出影响金刚石形核密度、形核速率、晶形结构及晶形完善性的关键因素。

关 键 词：碳化钨衬底 硅衬底 金刚石薄膜 金刚石生长 

分 类 号：O613.71[理学—无机化学] O484.1[理学—化学]