还原氮化法制取Si_3N_4粉末相的研究  

作　　者：刘学辉[1] 廖际常[1] 张仁岐 李应泉[1] 邓朝权[1] 王志[1] 宣林杰 

机构地区：[1]西北有色金属研究院

出　　处：《稀有金属材料与工程》1990年第1期11-16,共6页Rare Metal Materials and Engineering

摘　　要：本文介绍了用碳还原二氧化硅氮化法制取高质量Si_3N_4粉末的工艺过程,讨论了加热温度、反应时间、氮气流速和反应物浓度及添加剂对所获得的Si_3N_4粉末相的影响。结果表明,过量的碳能有效地控制SiO的挥发,提高氮化速度和氮化率。添加剂可以有效地限制β-Si_3N_4相的生成。一定的温度是反应进行的保证,足够的时间是充分反应的条件,氮气流速是氮化的前提。如果严格控制这些工艺条件和影响因素,就可以获得高α相含量的Si_3N_4粉末。

关 键 词：氮化硅 粉末 还原氮化法 制取 

分 类 号：TF123.34[冶金工程—粉末冶金]