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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:高杨[1] 陈营端[2] 白竹川[3] 席仕伟[1] 郑英彬[1]
机构地区:[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900 [2]西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010 [3]西南科技大学制造科学与工程学院,四川绵阳621010
出 处:《半导体光电》2011年第4期474-477,483,共5页Semiconductor Optoelectronics
基 金:中国工程物理研究院科技发展基金重点课题(2008A0403016;2010A0302013)
摘 要:设计了一种Si基金刚石薄膜上的SAW RF MEMS滤波器,其中心频率为400MHz,叉指换能器(IDT)线宽为5μm。采用中物超硬材料公司定制的硅基金刚石薄膜基片,利用射频溅射方法在金刚石薄膜上制备了厚度为2μm的ZnO压电薄膜,XRD分析证明其具有良好的C轴取向。采用剥离工艺制备IDT,通过精细的工艺控制,得到了设计的IDT图形。最后,对该滤波器样品进行了封装和测试。测试结果表明,其中心频率为378MHz,插损为15.9dB。A SAW RF MEMS filter on Si-based diamond film is designed. Its center frequency is 400 MHz, and the line width of its inter digital transducer (IDT) is 5 μm. The diamond films on silicon substrate are customized by the CAEP ultra-hard material Co. And 2 μm thick ZnO piezoelectric films are deposited on diamond films by RF sputtering method. XRD analysis shows that the ZnO films have good C-axis orientation. IDT is fabricated by lift-off process. With delicate process control, the designed IDT pattern is acquired. The SAW RF MEMS filter prototype is finally packaged and tested. The center frequency of 378 MHz and the insertion loss of 15.99 dB are obtained.
关 键 词:射频微机械系统 声表面波 金刚石薄膜 压电薄膜 叉指换能器
分 类 号:TN713[电子电信—电路与系统]
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