E系列：MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2011年第11期28-28,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积。

关 键 词：MOSFET 导通电阻 栅极电荷 N沟道功率 Super 额定电流 功率转换 乘积 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]