N沟道功率

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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
《变频器世界》2022年第4期36-36,共1页
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出...
关键词：导通电阻 开关电源 尖峰电压 损耗特性 漏极 源极 MOSFET 存储装置 
Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
《世界电子元器件》2017年第12期61-61,共1页
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新25VN沟道TrenchFET?Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷...
关键词：MOSFET 导通电阻 VISHAY 功率密度 
Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
《电子制作》2017年第23期65-65,共1页
Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM...
关键词：功率MOSFET N沟道 功率密度 电源效率 导通电阻 SO-8封装 栅极电荷 优值系数 
Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
《半导体信息》2017年第6期10-10,共1页
Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM）...
关键词：功率MOSFET 功率密度 N沟道 电源效率 导通电阻 SO-8封装 栅极电荷 优值系数 
Allegro推出全新汽车级半桥MOSFET驱动器IC
《中国集成电路》2017年第9期5-5,共1页
Allegro宣布推出两款全新N沟道功率MOS-FET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOS-FET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可适用于直流泵（制动、油、水和燃料）、空调系统（HVAC）、螺线管和制动器...
关键词：ALLEGRO 驱动器IC 汽车应用 MOSFET 半桥 MOS-FET 空调系统 N沟道功率 
东芝推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET被引量：1
《半导体信息》2017年第2期13-14,共2页
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOSIV系列”的八款新MOSFE丁利用超结结构，与东芝之前的“π—MOS—VIII系列”相比，其可将其单...
关键词：功率MOSFET 低导通电阻 东芝公司 高速开关 N沟道 电子元器件 单位面积 电源 
Vishay发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET
《电子质量》2015年第6期49-49,共1页
日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOsFET—SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。VishayS—iliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能...
关键词：功率MOSFET 快恢复二极管 N沟道 功率MOSFET 可再生能源 零电压开关 导通电阻 反向恢复 
NexFETN沟道功率MOSFET
《今日电子》2015年第2期97-97,共1页
NexFET产品线推出11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有超低导通电阻并采用QFN封装的25VCSD16570Q5B和30VCSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12VFemtoFETCSD13383F4在采用0．6mm×1mm...
关键词：功率MOSFET N沟道 QFN封装 低导通电阻 电池供电 产品线 应用 热插拔 
TI推出NexFET N沟道功率MOSFET,可实现业界最低电阻
《半导体信息》2015年第1期2-3,共2页郑畅 
德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD1338...
关键词：TI 低电阻 同类竞争 导通电阻 电流条件 热插拔 电源转换效率 电信应用 负载开关 批量采购 
Vishay大幅扩充E系列650 V N沟道功率MOSFET家族
《半导体信息》2013年第3期12-14,共3页郑冬冬 
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30 mΩ、电流达6 A～105 A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
关键词：VISHAY 导通电阻 开关损耗 输人电压 通信电源系统 高能脉冲 不间断电源 极限性能 太阳能逆变 
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