NexFETN沟道功率MOSFET  

出　　处：《今日电子》2015年第2期97-97,共1页Electronic Products

摘　　要：NexFET产品线推出11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有超低导通电阻并采用QFN封装的25VCSD16570Q5B和30VCSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12VFemtoFETCSD13383F4在采用0．6mm×1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类器件低84％的极低电阻。

关 键 词：功率MOSFET N沟道 QFN封装 低导通电阻 电池供电 产品线 应用 热插拔 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]