Vishay发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET  

出　　处：《电子质量》2015年第6期49-49,共1页Electronics Quality

摘　　要：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOsFET—SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。VishayS—iliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性，并且节能。新推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关（ZVA）／软开关拓扑。

关 键 词：功率MOSFET 快恢复二极管 N沟道 功率MOSFET 可再生能源 零电压开关 导通电阻 反向恢复 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]