微光刻相移掩模技术研究  

Optical Microlithographic Phase-Shifting Mask Technology

作　　者：冯伯儒[1] 孙国良[1] 沈锋[1] 阙珑 陈宝钦[2] 崔铮 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都610209 [2]中国科学院微电子中心,北京100029 [3]英国卢瑟福国家实验室微结构中心

出　　处：《光电工程》1996年第S1期1-11,共11页Opto-Electronic Engineering

基　　金：中国国家自然科学基金资助项目 ;编号为 6 92 76 0 1

摘　　要：本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率。The basic principles,computer simulation and photolithographic exposure experiments of phase shifting mask(PSM) technology for improving photolithographic resolution are systematically described in the paper.The simulation and experimental results are given.The research shows that with PSMs resolution and process latitude can not be markedly improved unless some critical parameter requirements are satisfied.By use of chromeless PSMs clear photoresist patterns of 0.2μm can be achieved.It is shown that PSM technology has the excellent properties in resolution improvement,extending lifetime of microlithography and further developing the photolithography resolution limit.

关 键 词：投影光刻 相移掩模 高分辨率 计算机模拟 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]