氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究  

作　　者：李和太[1] 崔志武[1] 于立新 刘洪[1] 

机构地区：[1]沈阳工业大学

出　　处：《微处理机》1990年第2期45-49,共5页Microprocessors

摘　　要：引言氢离子敏场效应晶体管（HISFET）是一种被用来测量溶液中氢离子浓度（pH 值）的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅（SiO₂）和氮化硅（Si₃N₄）双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。

关 键 词：场效应晶体管 金属栅极 子敏 绝缘栅 平面工艺 传感元件 半导体化学 绝缘膜 氮化硅膜 氢离子浓度 

分 类 号：TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构]