几种低压气相沉积技术制备立方氮化硼膜的新进展  

New Progresses on Preparing C-BN Films by Low Pressure Vapor Deposition Methods

作　　者：邱东江[1] 郝天亮[1] 石成儒 

机构地区：[1]浙江大学西溪校区中心实验室,杭州310028

出　　处：《表面技术》2000年第1期1-5,共5页Surface Technology

基　　金：浙江省自然科学基金

摘　　要：介绍了 ｃ－ＢＮ的优异特性及应用前景。评述了 ｃ－ＢＮ膜的几种低压物 理气相沉积（ＰＶＤ）和低压化学气相沉积（ＣＶＤ）制备方法，分析其成膜特点及对ｃ－ ＢＮ形成有显著影响的工艺参数。介绍了当前ｃ－ＢＮ膜研究取得的成果，对如何提 高成膜质量提出了自己的一些看法。The excellent properties and the application prospects of cubic boron nitride(c-BN) films are introduced. A variety of low pressure PVD and CVD methods for synthesising c--BN films are summarized. An analysis is made of the deposition parameters which favour the formation of the cubic phase. Newly attained progresses to preparing c-BN films are introduced. And some proposals for acquiring high quality c-BN films are also offered.

关 键 词：PVD CVD 氮化硼薄膜 低压气相沉积 薄膜 镀膜 

分 类 号：TQ128.1[化学工程—无机化工] O484[理学—固体物理]