高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料  

High Al Content AlGaN Based LED Functional Structures

作　　者：张彬彬[1] 李书平[1] 李金钗[1] 蔡端俊[1] 陈航洋[1] 刘达艺[1] 康俊勇[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门361005

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》2012年第1期17-21,共5页Journal of Xiamen University：Natural Science

基　　金：国家自然科学基金项目(60827004;90921002);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2011CB301905)

摘　　要：采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片.并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法,获得了良好的欧姆接触电极,进一步将外延片制备成LED管芯.通过对量子结构有源层量子阱混晶组分的设计和调整,掌握并实现了主波长260～330nm紫外LED结构材料的制备.High Al content AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode （LED） structures were grown on sapphire substrate by metal organic vapor-phase epitaxy （MOVPE）. The pulsed atomic layer epitaxy technology was adopted to improve the crystal quality. Ohmic contacts for the LED devices were obtained by optimizing the annealing conditions. The UV-LEDs with different wavelength（from 260 nm to 330 nm） were achieved by tuning the Al content.

关 键 词：ALGAN 量子阱 欧姆接触 紫外LED 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]